杭州富芯半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，降低SGT器件的IGSS漏电风险_资讯

杭州富芯半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，降低SGT器件的IGSS漏电风险

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2025-08-23 20:03:30

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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“集成半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120529631A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种集成半导体器件及其制备方法；制备方法可以包括：提供基底，基底包括横向排布的第一导电类型的SGT基底区和第二导电类型的BCD基底区；于BCD基底区中形成至少一个浅沟槽隔离结构；至少于SGT基底区形成耐压栅沟槽结构和屏蔽栅沟槽结构，屏蔽栅沟槽结构包括屏蔽栅极、控制栅极、屏蔽栅氧化层和控制栅氧化层，屏蔽栅氧化层隔离屏蔽栅极和基底，控制栅氧化层隔离控制栅极和基底、以及隔离屏蔽栅极和控制栅极；形成至少覆盖屏蔽栅沟槽结构的表面的隔离氧化层，隔离氧化层与控制栅氧化层连续。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息294条，此外企业还拥有行政许可17个。

来源：金融界

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