华灿光电申请微型发光二极管晶圆及其制备方法专利，提高曝光准确度_资讯

华灿光电申请微型发光二极管晶圆及其制备方法专利，提高曝光准确度

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2025-08-23 19:32:53

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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“微型发光二极管晶圆及其制备方法”的专利，公开号CN120529707A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本公开提供了一种微型发光二极管晶圆及其制备方法，属于半导体技术领域。该微型发光二极管晶圆的制备方法包括：在衬底的一面制备外延层；在衬底的具有外延层的一面刻蚀出基准线，基准线为直线段；确定曝光轨迹，每条曝光轨迹的起点均位于基准线，且各曝光轨迹均垂直于基准线；根据曝光轨迹，在外延层的基础上制备台面图形。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目91次，专利信息566条，此外企业还拥有行政许可49个。

来源：金融界

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