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甬矽半导体申请共同封装光学结构及其制备方法专利，避免了胶层污染保证了芯片性能

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2026-09-05 14:22:56

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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“共同封装光学结构及其制备方法”的专利，公开号CN122699668A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明提供了一种共同封装光学结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该共同封装光学结构包括基板、挡胶结构、光引擎模块和保护胶层，挡胶结构形成于基板的正面，并在基板的正面围设形成保护区域。光引擎模块包括第一芯片和第二芯片，第一芯片的正面的一侧边缘设置有光学区域，光学区域与保护区域对应设置，第二芯片贴装在第一芯片上。保护胶层由第一芯片远离光学区域的一侧填充至第一芯片的正面和基板的正面之间。其中，挡胶结构被配置为阻挡保护胶层。相较于现有技术，本发明实施例通过在基板上额外设计挡胶结构，能够在点胶过程中阻挡液态胶层朝向保护区域流动，并且不会向上蔓延至光学区域，避免了胶层污染，保证了芯片性能。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目33次，专利信息292条，此外企业还拥有行政许可20个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法投资半导体光学芯片保护结构专利区域污染胶层挡胶

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