帝奥微申请深沟槽电容器件制备方法专利，降低了器件成本_资讯

帝奥微申请深沟槽电容器件制备方法专利，降低了器件成本

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2026-09-04 16:53:12

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国家知识产权局信息显示，江苏帝奥微电子股份有限公司申请一项名为“一种深沟槽电容器件的制备方法”的专利，公开号CN122699317A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种深沟槽电容器件的制备方法，在硅衬底上光刻定义沟槽图案刻蚀形成深沟槽，在深沟槽侧壁及底面依次生长衬里氧化层，沉积并退火第一掺杂多晶硅层，回刻至顶面低于硅衬底表面，通过刻蚀去除深沟槽上部侧壁区域的衬里氧化层，保留深沟槽下部紧邻第一多晶硅层位置的衬里氧化层，在第一多晶硅层暴露表面和硅表面形成极间氧化层，沉积第二掺杂多晶硅层并回刻，在深沟槽上部形成第二多晶硅电极，沉积层间介质层，光刻定义接触孔图案，刻蚀形成接触孔，填充金属导体完成互连。本发明提供了一种全新的深沟槽电容器件制备方法且降低了器件成本。

天眼查资料显示，江苏帝奥微电子股份有限公司，成立于2010年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本24750万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏帝奥微电子股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息240条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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