晶合集成申请半导体结构及其制造方法专利，可以有效提高传输栅极至浮置扩散区电子的传输速度_资讯

晶合集成申请半导体结构及其制造方法专利，可以有效提高传输栅极至浮置扩散区电子的传输速度

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2026-09-02 22:26:12

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN122679713A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法，具体涉及半导体技术领域。所述半导体结构包括衬底、光电二极管、浮置扩散区及传输栅极，其中，光电二极管、浮置扩散区及传输栅极均形成于衬底中，且光电二极管和浮置扩散区分别位于传输栅极的两侧对应区域，所述光电二极管包括依次层叠的第一光电功能层、第二光电功能层、第三光电功能层和第四光电功能层，所述第一光电功能层和所述第三光电功能层的材料为硼磷共掺杂硅，所述第二光电功能层和所述第四光电功能材料为硼砷共掺杂硅；所述传输栅极的底部设置有锗硅层。本发明通过多层叠设光电功能层与超沟道结构的协同配合，可以有效提高传输栅极至浮置扩散区电子的传输速度。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目651次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息1805条，此外企业还拥有行政许可35个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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