产品描述

TX6214 是太矽（TXsemi）采用 CMOS 工艺开发的超低静态电流 400mA 高速低压差线性稳压器 LDO太矽电子。芯片集成高精度内部基准源，具备低噪声、低压差、优秀瞬态响应能力，可在输入‑输出压差很小的条件下持续输出大电流，专门针对锂电池、纽扣电池供电的低功耗便携系统设计，支持低 ESR 陶瓷输出电容，外围元器件极少，内置完整保护机制，多封装版本覆盖普通贴片及超小型穿戴设备应用，兼容 SMT 回流焊生产，无铅无卤符合 RoHS 环保标准。

核心参数

工作输入电压：1.5V‑6.5V；绝对最大输入耐压：8V

定压输出电压：1.2V‑5.0V，0.1V 步进，主流规格 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.0V、3.3V

持续输出电流：400mA（VOUT=3.3V 条件），峰值折返限流 450mA

输出电压精度：全温范围 ±2%

压差电压：180mV@IOUT=100mA；负载电流降低时压差同步减小，充分利用锂电池放电末期电压区间

静态工作电流：典型0.5μA；关断模式下关断电流＜1μA，极大降低整机待机电池损耗

电源纹波抑制 PSRR：60dB@1kHz，有效抑制前端电源噪声，输出电压干净，适合 MCU、传感器、射频模块供电

输出噪声：低噪声架构，适合对电源噪声敏感的模拟电路

工作结温：‑40℃ ~ +125℃；存储温度‑55℃ ~ +150℃

推荐外围电容：输入 1μF 陶瓷电容，输出 1μF 陶瓷电容，无需额外补偿网络，兼容低 ESR 陶瓷电容，不强制使用电解电容

回流焊温度：支持 260℃峰值回流，适配大批量 SMT 贴片生产。

核心特性

CMOS 超低功耗架构 芯片内部采用低漏电 CMOS 电路，正常工作静态电流仅 0.5μA，设备休眠待机状态下电池自耗极低，显著延长 TWS、穿戴、无线传感器的电池续航时间，区别于传统 BJT 架构 LDO 的高静态电流短板。

低压差大电流输出 180mV@100mA 低压差特性，锂电池电压跌落接近输出电压时，依旧可以维持足额输出电流，最大化电池容量利用率，适合 3.7V 锂电池降压、纽扣电池供电场景。

优秀瞬态与稳压性能 高速环路响应，负载电流快速跳变时输出过冲、跌落幅度小；线性调整率、负载调整率表现优异，负载动态变化时输出电压保持稳定，适配射频模块瞬时大电流脉冲工作工况。

内置双重保护电路（折返式限流 + 过热关断）

折返式短路限流保护：输出发生短路时，芯片自动降低输出电流，避免芯片烧毁以及前级电源过载；短路故障移除后，芯片自动恢复正常输出，无需断电重启。

热关断保护：芯片结温超过安全阈值时，关闭功率通路，温度回落至安全区间自动恢复工作，防止长时间过载高温损坏器件。

EN 使能控制功能，版本区分清晰

SOT23‑5、DFN1×1‑4 版本带 EN 使能引脚，支持外部逻辑电平控制芯片开启 / 关闭；高电平开启，低电平关断，系统休眠阶段可直接关断 LDO，彻底切断后级供电，进一步降低整机功耗。

SOT23‑3 版本无 EN 引脚，上电即输出，适合不需要开关控制的极简 BOM 方案。

产品特点

输入电压:1.5V~8V

输出范围:1.2V~5.0V

最大输出电流:400mA@

输出电压=3.3V

电源抑制比:60dB @1kHz

压差电压:180毫伏 @输出电流=100毫安

静态电流:典型值0.5uA

关断电流:<1μA

推荐电容:1F

内置短路保护，电流

限流器

场景应用

TWS 蓝牙耳机、充电仓；智能手环、智能手表等穿戴设备；无线遥控、无线传感器模组；手持数码设备；锂电池供电 IoT 终端；MCU、传感器、射频子系统电源；数码相机、小型便携仪器；各类电池供电消费电子产品。

功能框图

电学参数