兆驰半导体申请一种背光发光二极管芯片及其制备方法专利，解决背光发光二极管芯片难以兼顾增大发光角度和保持高亮度的问题_资讯

兆驰半导体申请一种背光发光二极管芯片及其制备方法专利，解决背光发光二极管芯片难以兼顾增大发光角度和保持高亮度的问题

创始人

2026-09-01 18:27:59

0次

国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种背光发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122679757A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，一种背光发光二极管芯片及其制备方法，该背光发光二极管芯片的制备方法包括：提供蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次沉积N型GaN层、有源发光层和P型GaN层，以于蓝宝石衬底上形成第一外延层；在第一外延层背向蓝宝石衬底的一面，对部分P型GaN层进行刻蚀，直至暴露出N型GaN层，以形成N型GaN层导电台阶和若干个沟槽，并于蓝宝石衬底上形成第二外延层，若干个沟槽将P型GaN层及有源发光层分割为若干个独立驱动的发光单元，且发光单元的投影面积自第一外延层的外围朝向中心呈线性减小。本发明旨在解决现有技术中背光发光二极管芯片难以兼顾增大发光角度和保持高亮度的问题。

天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1738条，此外企业还拥有行政许可62个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业兆驰方法投资信息芯片导体蓝宝石专利高亮度背光 GaN层 N型二极管

上一篇：特变电工康嘉取得高海拔用电容式电压互感器专利

下一篇：中船派瑞申请制备电子级吡啶装置及方法专利，能够生产出满足半导体行业严格要求的高纯电子级吡啶

兆驰半导体申请一种背光发光二极管芯片及其制备方法专利，解决背光发光二极管芯片难以兼顾增大发光角度和保持高亮度的问题

相关内容

热门资讯