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丰正创展申请含二氧化硅填充柱的中低压MOSFET芯片专利，提升器件动态高频开关速度

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2026-09-01 13:55:11

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国家知识产权局信息显示，上海丰正创展半导体有限公司申请一项名为“一种含二氧化硅填充柱的中低压MOSFET芯片”的专利，公开号CN122679671A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种含二氧化硅填充柱的中低压MOSFET芯片。该中低压MOSFET芯片包括：N+型衬底；设置于所述N+型衬底上的N型外延层；设置于所述N型外延层上表面的沟槽，所述沟槽内壁环绕设置有通过硼源扩散形成的P型阱，所述沟槽内部剩余空间填充有处于所述P型阱包围内的二氧化硅填充柱；设置于所述N型外延层上表面内的P型块，以及设置于所述P型块内的N+型块；设置于所述N型外延层上表面内的栅极二氧化硅，所述栅极二氧化硅内部设置有栅极多晶硅；分别设置于所述N型外延层上方和所述N+型衬底下方的一对表面金属电极。本申请能够免除深槽底部修圆与多层硅外延工艺，降低制造成本，削减器件寄生输出电容和晶圆级机械应力，提升器件动态高频开关速度。

天眼查资料显示，上海丰正创展半导体有限公司，成立于2024年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海丰正创展半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业栅极投资低压器件芯片丰正创外延专利二氧化硅充柱外延层衬底 N型

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