北京芯力技术创新中心申请芯片晶圆混合键合预处理方法专利，保证先后所有芯片对晶圆混合键合效果的一致性_资讯

北京芯力技术创新中心申请芯片晶圆混合键合预处理方法专利，保证先后所有芯片对晶圆混合键合效果的一致性

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2026-08-29 19:26:06

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国家知识产权局信息显示，北京芯力技术创新中心有限公司申请一项名为“芯片晶圆混合键合预处理方法及机台、混合键合用芯片”的专利，公开号CN122662732A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种芯片晶圆混合键合预处理方法及机台、混合键合用芯片。方法包括：对芯片的键合面进行等离子体活化及亲水化处理，以在所述键合面形成包括硅羟基官能团和水层的活性表面；在活性表面上形成牺牲保护层，牺牲保护层覆盖水层及硅羟基官能团；在执行键合操作之前，去除牺牲保护层，以重新暴露活性表面，其中，牺牲保护层被配置为在其形成之后至被去除之前，能够隔离外部环境对活性表面的污染，并且，去除牺牲保护层的过程同时带走附着于其上的颗粒污染物。利用本发明，能够最大限度保证后键合的芯片和先键合的芯片达到相同的效果，即最大限度消除Q‑time的影响，保证先后所有的芯片对晶圆混合键合键合效果的一致性。

天眼查资料显示，北京芯力技术创新中心有限公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本101127.495765万人民币。通过天眼查大数据分析，北京芯力技术创新中心有限公司参与招投标项目487次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息89条，此外企业还拥有行政许可59个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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