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芯德半导体申请晶圆级扇出型封装结构及其封装方法专利，提高了可靠性

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2026-08-28 08:59:45

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国家知识产权局信息显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司申请一项名为“晶圆级扇出型封装结构及其封装方法”的专利，公开号CN122662703A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆级扇出型封装结构及其封装方法，涉及半导体封装技术领域；该封装结构包括：芯片，由同一硅晶圆一体加工而成，包括芯片功能区、环绕芯片功能区四周的冗余硅支撑部以及设置在冗余硅支撑部内部的嵌入式镂空部，嵌入式镂空部垂直于芯片第一表面方向上且不穿透冗余硅支撑部的上下表面；塑封料，填充于嵌入式镂空部内并包裹芯片的外围侧面；重布线层，设置于芯片的第二表面上，覆盖芯片功能区及冗余硅支撑部；本发明通过一体化的芯片结构消除了贴装界面，提高了可靠性，并通过嵌入式镂空部实现了无源器件的灵活集成，具有结构简单、工艺成本低、集成度高的优点。

天眼查资料显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司，成立于2020年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本95906.1732万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯德半导体科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息298条，此外企业还拥有行政许可44个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资提高了冗余芯片镂空导体结构专利晶圆级镂空部冗余硅

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