京东方华灿光电申请发光二极管芯片及其制备方法专利，能够提高发光二极管芯片的光提取效率_资讯

京东方华灿光电申请发光二极管芯片及其制备方法专利，能够提高发光二极管芯片的光提取效率

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2026-08-21 19:19:00

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122622434A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体制备技术领域。该发光二极管芯片，包括：衬底，以及依次叠设在衬底上的复合层、第一半导体层、有源层和第二半导体层；复合层包括依次叠设的第一子层、腐蚀阻挡层和第二子层，第一子层的内部具有多条填充通道，各填充通道在第一子层的内部相互交错排布，以形成网络状结构，且各填充通道内填充有填充介质，填充介质的折射率为1.3~1.8。本公开能够提高发光二极管芯片的光提取效率。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本250000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目100次，专利信息641条，此外企业还拥有行政许可52个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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