浙江创芯集成电路申请半导体结构氮化钛形成方法专利，提高半导体结构的氮化钛的膜厚均一性_资讯

浙江创芯集成电路申请半导体结构氮化钛形成方法专利，提高半导体结构的氮化钛的膜厚均一性

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2026-08-21 15:54:08

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国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的氮化钛的形成方法及其成膜腔室”的专利，公开号CN122610006A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，一种半导体结构的氮化钛的形成方法及其成膜腔室，所述形成方法用于成膜腔室，成膜腔室内放置有钛靶材和基底，形成方法包括：采用第一工艺参数，向成膜腔室内通入预涂氮气和预涂氩气，在成膜腔室内壁形成氮化钛预涂层，第一工艺参数包括：预涂氮气具有的第一预涂气体流量，第一预涂气体流量位于大于等于20sccm且小于等于40sccm的范围；采用第二工艺参数，向成膜腔室内通入反应氮气和反应氩气，在基底上形成氮化钛，第二工艺参数包括：反应氮气具有的第一反应气体流量，第一反应气体流量位于大于等于20sccm且小于等于40sccm的范围。采用上述方案，可以提高半导体结构的氮化钛的膜厚均一性以及降低对成膜腔室的污染。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本214766.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息21条，专利信息669条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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