华虹半导体申请沟槽型电容器制作方法专利，凹槽内多晶硅层构成电容器的第一电极_资讯

华虹半导体申请沟槽型电容器制作方法专利，凹槽内多晶硅层构成电容器的第一电极

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2026-08-18 11:21:12

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“沟槽型电容器的制作方法”的专利，公开号CN122602515A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽型电容器的制作方法，包括：在衬底中形成STI结构，从俯视角度观察，STI结构的形状为网状；在STI结构围绕区域的衬底中形成凹槽，凹槽的深度深于STI结构的深度，凹槽的深度和宽度的比值大于4；形成高k介质层，高k介质层覆盖凹槽和STI结构暴露的区域，高k介质层的介电常数大于4；在高k介质层上形成多晶硅层，多晶硅层填充凹槽且多晶硅层最低处的顶部高于高k介质层最高处的顶部；进行平坦化处理，直至STI结构暴露，去除凹槽外的高k介质层和多晶硅层，凹槽内的多晶硅层构成电容器的第一电极，凹槽内的高k介质层构成电容器的电容介质，衬底构成电容器的第二电极。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2098条，此外企业还拥有行政许可119个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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