积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，确保器件结构的完整性与电学性能的稳定性_资讯

积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，确保器件结构的完整性与电学性能的稳定性

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2026-08-14 01:31:01

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN122555216A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，提供了一种半导体结构及其制备方法。本发明通过对伪栅极进行表面改性生成致密保护层，使得在对源/漏极进行金属硅化物工艺形成金属硅化物层时，伪栅极表面覆盖的该致密保护层，能够有效阻止伪栅极材料与金属镍发生不必要的合金化反应，确保器件结构的完整性与电学性能的稳定性；该致密保护层能让伪栅极表层更加致密的同时，保持伪栅极原有能够被刻蚀去除特性，提升其结构稳定性，保障最终替换金属栅极的尺寸精度符合制程要求。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2128次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1419条，此外企业还拥有行政许可206个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业栅极投资器件完整性导体结构专利电学金属镍保护层半导体

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