矽镓镓申请耐高压低损耗的超结MOS器件及其制备方法专利，该超结MOS实现耐高压低损耗效果_资讯

矽镓镓申请耐高压低损耗的超结MOS器件及其制备方法专利，该超结MOS实现耐高压低损耗效果

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2026-08-13 00:27:29

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国家知识产权局信息显示，矽镓镓（厦门）集成电路有限公司申请一项名为“一种耐高压低损耗的超结MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN122555201A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明涉及超结MOS技术领域，公开一种耐高压低损耗的超结MOS器件及其制备方法，包括：基底的底层有N型重掺杂区，N型重掺杂区下有漏极电极，N型重掺杂区上有N型缓冲区，N型缓冲区上有P型阱区和N型阱区，P型阱区设在N型阱区两侧，P型阱区上有P型重掺杂区，N型阱区上有N型扩展区和栅极区，N型扩展区设在栅极区两侧，P型重掺杂区和N型扩展区上有P型浅掺杂区，P型浅掺杂区设在栅极区两侧，P型浅掺杂区上有N型电极区和P型电极区，N型电极区和P型电极区设在栅极区两侧，N型电极区与栅极区接触，P型电极区与N型电极区接触，N型电极区和P型电极区上有源极电极，栅极区上有栅极电极。该超结MOS实现耐高压低损耗效果。

天眼查资料显示，矽镓镓（厦门）集成电路有限公司，成立于2025年，位于厦门市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1096.7742万人民币。通过天眼查大数据分析，矽镓镓（厦门）集成电路有限公司专利信息2条。

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来源：市场资讯

方法显示栅极电极镓镓投资器件损耗集成电路专利扩展区电极区 P型阱区 N型栅极区

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