盛新申请制备高纯度半绝缘单晶碳化硅晶体专利，生长出来的高纯度半绝缘单晶碳化硅晶体的电阻率大于1E7 ohm-cm_资讯

盛新申请制备高纯度半绝缘单晶碳化硅晶体专利，生长出来的高纯度半绝缘单晶碳化硅晶体的电阻率大于1E7 ohm-cm

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2026-08-03 21:08:09

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国家知识产权局信息显示，盛新材料科技股份有限公司申请一项名为“制备高纯度半绝缘单晶碳化硅晶体的工艺”的专利，公开号CN122484905A，申请日期为2020年8月。

专利摘要显示，本申请涉及一种制备高纯度半绝缘单晶碳化硅晶体的工艺，包括坩埚内容纳碳化硅作为材料源，所述材料源的硅碳比例是0.95至1.05。所述坩埚的内部上方配置有固持器，所述固持器用于固定晶种。在长晶过程，长晶时温度范围控制于2000℃至2270℃之间，长晶时间是150小时或200小时，以使所述坩埚的内部处于富碳环境，从而生长出来的所述高纯度半绝缘单晶碳化硅晶体的电阻率大于1E7 ohm-cm。

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来源：市场资讯

显示晶体投资绝缘 ohm-cm 单晶坩埚电阻率高纯度碳化硅固持器长晶材料源

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