鸿扬半导体申请半导体装置及其制造方法专利，半导体装置的稳定性和效率可以被提升
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2026-07-25 05:39:47
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国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN122458449A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种半导体装置的制造方法，包括：在基板中形成阱，其中基板具有接面场效应晶体管区相邻于阱；在阱中形成源极区；执行注入工艺，以阱位于源极区以及接面场效应晶体管区之间的一部分形成表面掺杂区；沿着表面掺杂区的上表面和接面场效应晶体管区的上表面形成介电层；以及在介电层上形成栅极结构。基于此配置，半导体装置的稳定性和效率可以被提升。
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