中微半导体申请一种钨的填充方法专利，能显著降低沉积的钨层的氟含量和电阻率_资讯

中微半导体申请一种钨的填充方法专利，能显著降低沉积的钨层的氟含量和电阻率

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2026-07-24 12:40:21

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国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种钨的填充方法”的专利，公开号CN122458769A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种钨的填充方法。包括：提供一基片置于反应腔中，基片包含介质层，介质层中具有若干沿水平方向延伸的凹陷结构；向反应腔中通入第一反应气体，第一反应气体包括含氢气体，其吸附于凹陷结构的内壁表面；向反应腔中通入第二反应气体和辅助气体，第二反应气体包括含钨前驱体，辅助气体至少包括氮气，含钨前驱体与吸附在凹陷结构内壁表面的含氢气体反应，生长钨；其中，第一反应气体、第二反应气体和辅助气体以憋压方式泵入反应腔。本发明在辅助气体中引入氮气后，能显著降低沉积的钨层的氟含量和电阻率，提高器件性能和可靠性。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目90次，财产线索方面有商标信息86条，专利信息1736条，此外企业还拥有行政许可88个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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