辰华半导体取得一种半导体功率器件专利，提高击穿电压
创始人
2026-07-15 15:16:30
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国家知识产权局信息显示，苏州辰华半导体技术有限公司取得一项名为“一种半导体功率器件”的专利，授权公告号CN224503848U，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体功率器件，至少包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；第一势垒层，设置在所述沟道层上，且所述第一势垒层覆盖所述沟道层；P型半导体层，设置在所述第一势垒层上；栅极，设置在所述半导体层上；源极，设置在所述第一势垒层上；漏极，设置在所述第一势垒层上；其中，所述第一势垒层具有柱状晶体结构。通过本实用新型提供的一种半导体功率器件，可提高平均电场，提高击穿电压。
天眼查资料显示，苏州辰华半导体技术有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州辰华半导体技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，专利信息68条，此外企业还拥有行政许可10个。
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来源：市场资讯
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