元素网
韩日同时出手！DRAM芯片竖着放：AI内存散热难题有解了
创始人
2026-07-11 13:36:45
0次

快科技7月11日消息，韩国和日本研究人员在2026年IEEE/JSAP VLSI技术与电路研讨会上，同时提出了两种全新的HBM（高带宽内存）方案，核心思路惊人一致：把DRAM（动态随机存取内存）芯片竖起来放，解决AI芯片越来越严重的散热瓶颈。

韩国方案叫V-Die，由蔚山国家科学技术研究所（UNIST）提出。这套设计把定制DRAM芯片旋转90度竖直放置，用TSV（硅通孔）释放芯片面积来塞更多内存单元，每个芯片底部独立走I/O通道，相邻芯片之间还塞了液冷散热通道。

模拟测试中，同样容量下V-Die跑GPT-3级别负载达到540 tokens/s，而传统HBM4只有296 tokens/s，性能翻了近一倍。

日本方案叫MOSAIC，由东京大学团队主导，思路类似但重点不同，它用正交芯片堆叠加上无接触芯片间接口，数据传输不靠物理触点，而是通过微型电感线圈耦合，每个通道速率跑到4 Gbps。

研究团队称这种结构能让DRAM-on-GPU配置下的容量达到HBM4的两倍。

两种方案直指同一个痛点，AI芯片被内存卡脖子，现代AI加速器算力够强，但大模型要频繁在内存和计算单元之间搬运海量数据，HBM靠垂直堆叠DRAM芯片靠近处理器来缓解这个矛盾，英伟达Blackwell Ultra B300就配了288GB HBM3E。

但堆得越高散热越难，V-Die和MOSAIC本质上都是用"侧放"换散热空间，顺便还把带宽和容量一起拉上去了。

不过这两项技术目前还停留在论文阶段，距离量产还有距离。

技术 方案 散热 V-Die 芯片 内存 tokens 通道 带宽 容量 韩国 东京大学 韩日

上一篇：摩根士丹利警告称芯片制造商的定价能力面临更大压力

下一篇：65nm做AI芯片能效远超A100！SK海力士这次玩大了

相关内容

热门资讯

金牌家居获得发明专利授权：“一... 证券之星消息，根据天眼查APP数据显示金牌家居（603180）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种...
格力电器获得发明专利授权：“嵌... 证券之星消息，根据天眼查APP数据显示格力电器（000651）新获得一项发明专利授权，专利名为“嵌入...
托普索申请用于催化进料气体转化... 国家知识产权局信息显示，托普索公司申请一项名为“与组件的电连接”的专利，公开号CN122374077...
格思航天申请基于移相控制的双向... 国家知识产权局信息显示，上海格思航天科技有限公司申请一项名为“基于移相控制的双向Super buck...
普译生物申请KphPif1解旋... 国家知识产权局信息显示，普译生物科技（绍兴）有限公司申请一项名为“KphPif1解旋酶及其应用”的专...
成都睿宝电子申请皮拉尼真空变送... 国家知识产权局信息显示，成都睿宝电子科技有限公司申请一项名为“皮拉尼真空变送器灯丝的加热电流控制方法...
大洋电机申请电机专利，避免过高... 国家知识产权局信息显示，中山大洋电机股份有限公司申请一项名为“电机”的专利，公开号CN1223716...
2026年热门的水泵配套补偿式... 水泵作为工业生产、市政供水、建筑给排水场景中的核心动力设备，对供电电压的稳定性要求较高。如果输入电压...
2026年靠谱的伺服稳压器厂家... 近接触了不少工业生产、精密设备领域的从业者，聊下来发现大家都在为找靠谱的伺服稳压器犯愁：要么电压不稳...
艾普强申请适用于复杂异形线圈骨... 国家知识产权局信息显示，上海艾普强粒子设备有限公司申请一项名为“一种适用于复杂异形线圈骨架的七自由度...