应用材料申请使用无缝间隙填充形成存储器结构专利，填充多个开口_资讯

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2026-07-07 19:17:57

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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“使用无缝间隙填充形成存储器结构的方法”的专利，公开号CN122349781A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，描述了形成存储器器件的方法。方法包括在工艺循环中在多个第一层上形成氧化物层以填充多个开口，该工艺循环包括第一子循环和第二子循环。第一子循环包括将膜堆叠暴露于硅前驱物和氨中，以在多个第一层的各层上形成氮化物层。第二子循环包括将氮化物层暴露于等离子体以形成氧化物层。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示投资间隙存储器循环氧化物包括专利应用材料氮化物公开号

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