长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、以及存储系统_资讯

长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、以及存储系统

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2026-07-07 19:05:03

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、以及存储系统”的专利，公开号CN122349212A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、以及存储系统，其中，半导体结构包括半导体主体、栅极结构、第一绝缘层和第二绝缘层，半导体主体沿第一方向延伸，栅极结构位于半导体主体在与第一方向相交方向的至少一侧，第一绝缘层位于栅极结构沿第一方向的一侧，第二绝缘层位于第一绝缘层和栅极结构之间，第二绝缘层和第一绝缘层的材料不同。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1452次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息6122条，此外企业还拥有行政许可1009个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示栅极投资存储导体绝缘层结构专利半导体天眼

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