芯片行业协会SEMI近日致函白宫，呼吁特朗普政府避免对存储器市场进行大规模干预。

据彭博社报道，该协会已将其对存储器市场的关切写成信函，分别致送财政部长斯科特·贝森特、国防部长皮特·赫格塞斯、商务部长霍华德·卢特尼克及国务卿马可·卢比奥。SEMI代表着全球大多数主要半导体设备与材料企业，以及众多芯片制造商。

过去一年间，受AI数据中心建设需求激增影响，存储器价格大幅上涨。这一涨价趋势不仅波及服务器市场，也蔓延至其他细分领域。去年12月，标普全球预测，至2027年底，车用DRAM价格可能上涨逾100%。与此同时，苹果公司也已上调多款设备的售价。

SEMI在信中呼吁白宫避免采取"扭曲定价或产能决策"的存储器干预措施，认为此类举措将损害市场健康发展。SEMI建议官员采取其他更为精准的措施来应对存储器供应短缺问题。

该协会还呼吁白宫推动税收减免或抵扣政策，以降低消费电子产品价格，同时支持部分企业采用长期采购合同方式来保障存储芯片供应。SEMI的成员涵盖全球三大DRAM供应商——美光、SK海力士和三星电子。

数据中心建设方面的需求，主要集中于一种名为高带宽存储器（HBM）的特殊DRAM。HBM与标准存储器采用相同的电路架构，但在其他方面存在显著差异——普通DRAM模组为单一芯片，而HBM设备则由多达十余枚DRAM芯片垂直堆叠而成，并置于一块名为"逻辑芯片"的基础层上，以优化数据传输效率。

与标准DRAM相比，HBM模组在处理器之间的数据传输速度更快，非常适合AI应用场景。这类应用产生的存储器访问流量远超其他计算任务。通常情况下，HBM模组会紧邻显卡的逻辑电路部署，以进一步提升数据传输速度。

SEMI在信中指出，芯片行业预计未来每年将以19%的速度扩大存储器产能。尽管如此，在可预见的未来，市场需求仍将持续超过供给。

美光计划投资2000亿美元，在美国境内新建最多六座晶圆厂，并对弗吉尼亚州一座现有存储器工厂进行升级。该工厂近期已开始采用美光最新制造工艺生产DRAM芯片，该工艺运用多重图案化技术在硅片上蚀刻电路，借助复杂的激光脉冲序列形成晶体管图案。

美光不仅在扩大存储芯片产能，也在加速布局HBM封装能力。这项技术用于将多枚DRAM芯片整合成单一HBM模组。去年，美光在新加坡开建一座投资额达70亿美元的封装工厂，预计于2027年底前投入量产。

SK海力士和三星则计划在未来五年内将各自的存储器产能翻倍。这一扩张计划是韩国政府本周启动的5840亿美元芯片制造计划的组成部分，该项目将推动SK海力士和三星合计新建四座晶圆厂。

Q&A

Q1：SEMI为什么反对白宫干预存储器市场？

A：SEMI认为，政府若对存储器市场采取扭曲定价或产能决策的干预措施，将损害整个市场的健康运行。该协会建议改为推行税收减免、支持长期采购合同等更为精准的手段，以缓解存储器供应短缺问题，而非通过行政手段直接介入市场定价机制。

Q2：HBM高带宽存储器和普通DRAM有什么区别？

A：HBM与普通DRAM采用相同的电路架构，但结构上差异显著。普通DRAM是单一芯片，而HBM由多达十余枚DRAM芯片垂直堆叠，并搭载逻辑芯片优化数据流向，数据传输速度远超标准DRAM，特别适合AI计算场景，因为AI应用产生的存储器访问流量远超普通工作负载。

Q3：美光、SK海力士和三星各自有哪些存储器产能扩张计划？

A：美光计划投资2000亿美元在美国新建最多六座晶圆厂，并在新加坡投资70亿美元建设HBM封装工厂，预计2027年底前量产。SK海力士和三星则计划在未来五年内各自将产能翻倍，作为韩国政府5840亿美元芯片制造计划的一部分，两家企业将合计新建四座晶圆厂。