江苏中科汉韵半导体申请去除碳化硅芯片上碳污染方法专利，提升碳化硅芯片的电学性能与可靠性_资讯

江苏中科汉韵半导体申请去除碳化硅芯片上碳污染方法专利，提升碳化硅芯片的电学性能与可靠性

创始人

2026-07-05 01:58:28

0次

国家知识产权局信息显示，江苏中科汉韵半导体有限公司申请一项名为“去除碳化硅芯片上碳污染的方法”的专利，公开号CN122341100A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，一种去除碳化硅芯片上碳污染的方法，包括：提供衬底，衬底具有相对的第一面和第二面；在衬底的第一面上形成器件层，器件层内具有源极掺杂区；在源极掺杂区上形成层间介质层；对层间介质层进行刻蚀至露出源极掺杂区表面，形成接触孔；在接触孔底部形成第一金属层；对第一金属层和源极掺杂区进行热处理，形成第一欧姆接触层以及位于第一欧姆接触层表面的第一碳污染层；执行等离子气体清洗操作，去除第一碳污染层。由于等离子气体清洗操作为干法去除，具体表现为低能离子轰击以去除第一碳污染层，能够在去除的第一碳污染层同时，避免损伤第一碳污染层底部的第一欧姆接触层以及源极掺杂区表面，提升碳化硅芯片的电学性能与可靠性。

天眼查资料显示，江苏中科汉韵半导体有限公司，成立于2019年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3019.3417万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏中科汉韵半导体有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可10个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

投资半导体科汉芯片金属层碳化硅苏中专利污染电学掺杂区欧姆衬底江苏

下一篇：全市优秀共产党员汤永强：深耕苦瓜育种培育“农业芯片”

江苏中科汉韵半导体申请去除碳化硅芯片上碳污染方法专利，提升碳化硅芯片的电学性能与可靠性

相关内容

热门资讯