力晶积成电子申请用于存储器装置的缺陷检测方法专利，可依据缺陷计数判断存储器区块的缺陷类型
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2026-07-04 10:18:43
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“用于存储器装置的缺陷检测方法”的专利，公开号CN122337285A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种用于存储器装置的缺陷检测方法。存储器装置包括存储器阵列。存储器阵列依据参考电压来进行存取操作。缺陷检测方法包括：将存储器阵列区分为多个存储器区块；调整参考电压的电压值以依序对所述多个存储器区块进行存取操作，并接收所述多个存储器区块在存取操作后的多个缺陷计数；以及依据所述多个缺陷计数来判断这些存储器区块的缺陷类型。
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来源：市场资讯
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