国家知识产权局信息显示,杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法以及半导体器件”的专利,公开号CN122340889A,申请日期为2026年6月。
专利摘要显示,本申请公开了一种半导体结构的制备方法以及半导体器件,其中,一种半导体结构的制备方法包括:提供半导体衬底;所述半导体衬底具有多个分立的鳍部;在所述半导体衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅极;在所述伪栅极的侧壁表面形成伪栅极侧墙;所述伪栅极侧墙为复合膜层;在所述伪栅极的外侧形成第一氧化层;去除所述伪栅极以及所述伪栅极侧墙中靠近所述伪栅极一侧的目标膜层,形成栅极沟槽;在所述栅极沟槽中填充金属材料,形成金属栅极。本申请提供的方案能够在较为彻底的去除伪栅极的同时保证栅极沟槽侧壁形貌。
天眼查资料显示,杭州富芯半导体有限公司,成立于2019年,位于杭州市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目36次,财产线索方面有商标信息15条,专利信息374条,此外企业还拥有行政许可27个。
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来源:市场资讯