长鑫科技申请存储芯片专利，控制各内部电源模块依次执行上电操作_资讯

长鑫科技申请存储芯片专利，控制各内部电源模块依次执行上电操作

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2026-07-03 14:23:17

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储芯片、芯片堆叠结构和半导体器件”的专利，公开号CN122337272A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体芯片、芯片堆叠结构和半导体器件。该半导体芯片包括上电启动电路和上电控制电路；上电启动电路，配置为，在半导体芯片为主芯片时，根据第一电源电压生成并输出处于有效电平的上电启动信号，在半导体芯片为从芯片时，根据处于有效电平的第一延迟使能信号生成并输出处于有效电平的上电启动信号；其中，第一延迟使能信号为前一级半导体芯片生成并输出的第二延迟使能信号；上电控制电路，配置为，响应于处于有效电平的上电启动信号，控制各内部电源模块依次执行上电操作，并在部分内部电源模块完成上电操作后，生成并输出处于有效电平的第二延迟使能信号。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1082次，财产线索方面有商标信息292条，专利信息696条，此外企业还拥有行政许可39个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示电平科技上电投资控制输出信号专利电路半导体芯片

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