中芯东方申请半导体结构及其形成方法专利，相应提高了反应腔室的利用率
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2026-06-27 14:38:06
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国家知识产权局信息显示，中芯东方集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122279737A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在第一反应腔室内进行第一外延工艺制程，在衬底上形成第一外延层；在第二反应腔室内进行第二外延工艺制程，在第一外延层上形成第二外延层，第二外延层和第一外延层的材料相同，第二外延层和第一外延层构成外延层,且第一外延层的厚度均匀性高于第二外延层的厚度均匀性。通过不同的反应腔室形成外延层，每一个反应腔室仅形成外延层部分厚度的材料，由于先形成第一外延层的厚度均匀性较佳，故在第一外延层上形成的第二外延层的厚度均匀性相应也被改善，同时，在形成外延层的过程中，将厚度均匀性的性能不同的第一反应腔室与形成第二外延层搭配使用，相应提高了反应腔室的利用率，进而提高了生产的产能。
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来源：市场资讯
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