国家知识产权局信息显示，中芯东方集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN122279759A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：形成预埋层之后，对衬底进行预处理，预处理包括对第一面进行元素析出处理以及对第二面进行元素阻挡处理中的一种或两种，对衬底进行预处理之后，形成覆盖第一面的外延层。若对第二面进行元素阻挡处理，降低衬底中的元素和预埋层中的元素从第二面逸出的概率，相应在外延层生长的过程中，容易降低发生自掺杂效应的概率，从而能够使扩散电阻率分布曲线靠近衬底区域；若对第一面进行元素析出处理，降低衬底中的元素和预埋层中元素发生中和的概率，从而能够使扩散电阻率分布曲线靠近衬底区域；综上，采用元素析出处理和元素阻挡处理中的任意一种或两种，均能够使扩散电阻率分布曲线靠近衬底区域。

天眼查资料显示，中芯东方集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本550000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯东方集成电路制造有限公司参与招投标项目89次，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可182个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息231条，专利信息15038条，此外企业还拥有行政许可480个。

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来源：市场资讯