鹏芯微申请半导体器件制造方法专利，显著地降低了金属栅结构的电阻_资讯

鹏芯微申请半导体器件制造方法专利，显著地降低了金属栅结构的电阻

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2026-06-26 20:18:44

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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、电子装置”的专利，公开号CN122294522A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有层间介电层，层间介电层中形成有金属栅结构；对金属栅结构的顶部进行刻蚀，以在层间介电层中形成位于金属栅结构上方的凹槽；执行沉积工艺，以在凹槽中以及层间介电层上沉积金属材料；去除层间介电层上的金属材料以及凹槽中的部分金属材料，得到剩余的金属材料所构成的金属覆盖层。本发明采用传统的沉积工艺形成金属覆盖层，适用于大部分金属，提高了工艺的可行性和拓展性，显著地降低了金属栅结构的电阻，提高了半导体器件的性能。

天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息72条，专利信息167条，此外企业还拥有行政许可216个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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