爱思开海力士申请半导体封装件专利，半导体芯片连接到UBM层并设置在布线结构上
创始人
2026-06-26 04:28:38
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体封装件”的专利，公开号CN122270189A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体封装件。该半导体封装件包括布线结构。布线结构包括第一绝缘层、位于第一绝缘层上的导电焊盘、位于导电焊盘上的第二绝缘层、穿过第二绝缘层并且与导电焊盘交叠的通孔、设置在导电焊盘上并且位于通孔中的突出图案、以及接触突出图案的上表面和侧表面并且连接到导电焊盘的凸块下金属化（UBM）层。半导体芯片连接到UBM层并且设置在布线结构上。
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来源：市场资讯
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