中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的性能_资讯

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的性能

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2026-06-23 22:44:53

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122269769A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底；有效鳍部，悬设于所述基底上方；器件栅极结构，位于所述基底上方，所述器件栅极结构横跨所述有效鳍部且环绕覆盖所述有效鳍部。采用上述技术方案，有效鳍部可以悬设于基底上方，使得器件栅极结构能够横跨且环绕覆盖有效鳍部，这样能够增大器件栅极结构和有效鳍部之间的接触面积，从而提高器件栅极结构对沟道的控制能力，降低短沟道效应，因而能够提高半导体结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息225条，专利信息15019条，此外企业还拥有行政许可480个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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