长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，形成与有源结构电连接的电容结构_资讯

长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，形成与有源结构电连接的电容结构

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2026-06-23 22:31:44

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、电子设备”的专利，公开号CN122269692A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、电子设备，其中，制造方法包括：提供初始结构，初始结构包括：衬底，位于衬底上的叠层结构，叠层结构包括交替堆叠的第一半导体层和第一隔离层；隔离槽，在叠层结构内呈阵列排布；第二隔离层，填充隔离槽；第一开口，位于相邻的隔离槽之间；从第一开口去除部分第一半导体层，以形成电容槽；在电容槽和第一开口内填充第一牺牲结构；去除第二隔离层以打开隔离槽，并从隔离槽刻蚀第一半导体层，以形成多个有源结构；形成第三隔离层，以至少填充隔离槽；去除第一牺牲结构以打开第一开口和电容槽；形成电容结构，电容结构包括第一电极层，第一电极层覆盖电容槽的内壁，并与有源结构电连接。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1082次，财产线索方面有商标信息287条，专利信息693条，此外企业还拥有行政许可39个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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