无锡亿思半导体申请MRAM芯片TRIM修调测试方法专利，保证修调参数的准确可靠性_资讯

无锡亿思半导体申请MRAM芯片TRIM修调测试方法专利，保证修调参数的准确可靠性

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2026-06-20 14:48:36

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国家知识产权局信息显示，无锡亿思半导体有限公司申请一项名为“TRIM修调测试方法、装置、设备及存储介质”的专利，公开号CN122245390A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种MRAM芯片的TRIM修调测试方法、装置、设备以及计算机可读存储介质，该MRAM芯片的TRIM修调测试方法包括分别在设定高温和设定低温的条件下，均为MRAM芯片依次配置多个不同的备选修调参数，并进行读写功能测试，获得第一修调参数集和第二修调参数集；并由此获得第一修调参数集和第二修调参数集之间的修调参数交集；若修调参数交集为空集，则确定MRAM芯片为失效芯片；若不为空集，则对修调参数交集中各修调参数之间的平均值作为MRAM芯片的固化修调值。本申请中确定的固化修调值，使得MRAM芯片在极端温度环境下能够正常读写，保证了修调参数的准确可靠性，及MRAM芯片良好的工作性能。

天眼查资料显示，无锡亿思半导体有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡亿思半导体有限公司财产线索方面有商标信息6条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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