中芯国际申请封装环结构及其形成方法专利,能避免封装环形成放电电流
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2026-06-20 09:18:53
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国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“封装环结构及其形成方法”的专利,公开号CN122249094A,申请日期为2024年12月。

专利摘要显示,一种封装环结构及其形成方法,其中封装环结构包括:至少一个金属层,所述金属层包括多个金属层段,相邻所述金属层段之间具有断开区;其中,所述断开区设置有第一弯折部和第二弯折部,所述第一弯折部和所述第二弯折部分别与相邻所述金属层段的端部连接,所述第一弯折部和所述第二弯折部相互交错设置且呈中心对称,且所述第一弯折部和所述第二弯折部之间相互不接触。本发明实施例提供的封装环结构,既能隔绝外界空气和水分,还能避免封装环形成放电电流,可以提高具有该封装环结构的半导体结构的性能。

天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,成立于2002年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目49次,专利信息8188条,此外企业还拥有行政许可231个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目119次,财产线索方面有商标信息234条,专利信息15010条,此外企业还拥有行政许可480个。

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来源:市场资讯

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