荣芯半导体申请半导体结构及其制作方法专利，可以保证光刻胶层中离子注入开窗图形的精度_资讯

荣芯半导体申请半导体结构及其制作方法专利，可以保证光刻胶层中离子注入开窗图形的精度

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2026-06-20 01:30:35

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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN122248976A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在第二区域形成包括多个纳米柱的纳米柱阵列和光刻胶掩膜层，光刻胶掩膜层覆盖第二区域以及纳米柱阵列，且光刻胶掩膜层具有露出第一区域的离子注入开窗，第一区域的衬底表面为平坦表面；以光刻胶掩膜层为掩膜，执行离子注入工艺，掺杂离子从离子注入开窗注入到第一区域的衬底中。这样可以大幅提升光刻胶的抗离子轰击能力且离子注入区域的衬底表面保持平坦，可以保证光刻胶层中离子注入开窗图形的精度，提高掺杂区域的轮廓准确性。该半导体结构可以利用上述的制作方法制成。

天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可40个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业可以保证投资淮安导体荣芯图形结构专利区域半导体衬底离子掩膜

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