兆芯半导体申请SRAM写入辅助电路专利，提高了存储单元写入的成功率_资讯

兆芯半导体申请SRAM写入辅助电路专利，提高了存储单元写入的成功率

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2026-06-20 01:23:12

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国家知识产权局信息显示，苏州兆芯半导体科技有限公司申请一项名为“SRAM写入辅助电路、方法及芯片”的专利，公开号CN122245372A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种SRAM写入辅助电路、方法及芯片。该电路包括SRAM存储阵列、字线、互补位线、位线预充电模块、目标控制端和写入驱动模块；SRAM存储阵列包括目标存储单元和多个非选中存储单元；目标存储单元与多个非选中存储单元均与字线连接；目标存储单元与各非选中存储单元分别和对应的互补位线连接；位线预充电模块中包括预充电控制端；目标存储单元和各非选中存储单元分别连接对应的位线预充电模块；目标存储单元与各非选中存储单元对应的互补位线与对应位线预充电模块连接；目标控制端用于控制目标存储单元与写入驱动模块的通断；目标存储单元的互补位线通过目标控制端与写入驱动模块的输出端连接。该电路提高了存储单元写入的成功率。

天眼查资料显示，苏州兆芯半导体科技有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州兆芯半导体科技有限公司专利信息30条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

兆芯投资电路辅助目标位线模块导体专利苏州字线单元

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