朗矽科技申请硅电容器及其制备方法专利，提高硅电容器的电容密度_资讯

朗矽科技申请硅电容器及其制备方法专利，提高硅电容器的电容密度

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2026-06-19 06:45:41

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国家知识产权局信息显示，上海朗矽科技有限公司申请一项名为“硅电容器及其制备方法”的专利，公开号CN122205884A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本公开提供了一种硅电容器及其制备方法，所述制备方法包括：在硅衬底上依次沉积叠层介质层和电极层，形成堆叠结构；其中，所述叠层介质层包括至少两层电介质层，相邻所述电介质层基于不同介电常数的介电材料形成；在所述堆叠结构上制备第一电极和第二电极，得到所述硅电容器。本公开通过沉积由不同介电常数的介电材料形成的叠层介质层，有效提高叠层介质层的等效介电常数，并且显著提升硅电容器的电容密度，并在保证硅电容器的高耐压能力、低漏电和高可靠性的同时，实现在不降低耐压能力的情况下，提高硅电容器的电容密度，且通过不同电介质层之间的温度系数互补，确保硅电容器的容值在不同温度下保持恒定。

天眼查资料显示，上海朗矽科技有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本134.503万人民币。通过天眼查大数据分析，上海朗矽科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息5条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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