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飞锃半导体申请一种半导体结构及其形成方法专利，漏极掺杂层能够更有效降低导通电阻

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2026-06-03 09:59:47

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国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122121238A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的第一面形成有源极掺杂区和若干贯穿所述源极掺杂区延伸至所述碳化硅衬底中的栅极沟槽；栅极硅化物，位于所述栅极沟槽底部；层间介质层，覆盖所述栅极硅化物并填满所述栅极沟槽；缓冲层和漏极掺杂层，依次位于所述碳化硅衬底的第二面，所述缓冲层位于所述碳化硅衬底和所述漏极掺杂层之间，所述缓冲层和所述碳化硅衬底具有相同的掺杂类型，所述漏极掺杂层和所述碳化硅衬底具有相反的掺杂类型。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，在碳化硅衬底的第二面依次形成缓冲层和漏极掺杂层，所述漏极掺杂层能够更有效降低导通电阻。

天眼查资料显示，飞锃半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本408.1522万美元。通过天眼查大数据分析，飞锃半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示栅极投资沟槽半导体碳化硅结构专利缓冲层衬底杂层

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