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芯迈半导体申请碳化硅衬底离子注入方法及碳化硅器件专利，有助于提升生产效率

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2026-05-31 03:57:14

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国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅衬底的离子注入方法及碳化硅器件”的专利，公开号CN122121562A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅衬底的离子注入方法及碳化硅器件，方法包括：提供一掩膜版，掩膜版包括基板及位于基板上表面的图形化阻挡层，基板被配置允许离子穿透，图形化阻挡层中设有与碳化硅衬底的待注入区域相对应的离子注入窗口；将掩膜版覆盖于碳化硅衬底上，使基板与碳化硅衬底表面接触，并使离子注入窗口对准碳化硅衬底的待注入区域以掩膜版为掩膜对碳化硅衬底进行离子注入；移除掩膜版。本发明中，利用可移动且可重复使用的耐高温的掩膜版对碳化硅衬底进行选择性离子注入，不需要在每一次离子注入前在碳化硅衬底上形成耐高温硬掩膜也无需在离子注入后从碳化硅衬底上去除耐高温硬掩膜，简化了工艺，有助于提升生产效率、降低生产成本。

天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息216条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资器件生产导体杭州碳化硅专利衬底离子基板掩膜

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