长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统专利，该半导体结构包括堆叠结构和接触结构_资讯

长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统专利，该半导体结构包括堆叠结构和接触结构

创始人

2026-05-22 20:19:14

0次

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储系统”的专利，公开号CN122073813A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括堆叠结构和接触结构。堆叠结构包括沿第一方向交替堆叠的第一介质层和栅极层、以及与栅极层同层设置的第二介质层。栅极层包括本体部和凸出部。本体部环绕第二介质层。凸出部与本体部接触且在第二方向上凸出。第一介质层、第二介质层和凸出部形成台阶结构。堆叠结构还包括覆盖台阶结构的介质部，凸出部在第一方向上与第一介质层接触且在第三方向上与介质部接触。接触结构沿第一方向贯穿堆叠结构且与凸出部接触。第一方向、第二方向和第三方向两两相交。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1437次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1007个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法栅极投资方向介质导体结构专利半导体栅极层凸出部介质层本体部

上一篇：ETF收评 | 三大指数集体收涨，半导体板块午后翻红，科创半导体ETF华夏（588170）涨1.38%，半导体设备ETF华夏（562590）涨0.87%

下一篇：日经创历史新高，AI与半导体领涨

长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统专利，该半导体结构包括堆叠结构和接触结构

相关内容

热门资讯