格科微申请图像传感器形成方法及图像传感器专利，提高图像传感器像素单元的进光量_资讯

格科微申请图像传感器形成方法及图像传感器专利，提高图像传感器像素单元的进光量

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2026-05-22 19:10:57

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国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种图像传感器形成方法及图像传感器”的专利，公开号CN122073874A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种图像传感器的形成方法，包括：刻蚀半导体衬底的第一表面，形成第一沟槽，于所述第一沟槽形成所述图像传感器像素单元之间的第一隔离结构；至少于部分对应所述第一沟槽的位置，刻蚀所述半导体衬底与所述第一表面相对的第二表面，形成第二沟槽，于所述第二沟槽形成第二隔离结构，以提高所述图像传感器像素单元的进光量，以及隔离结构对入射光进入像素单元后侧壁全反射的性能。本发明通过将FDTI工艺与BDTI工艺同时应用到像素单元之间的光学、电学隔离结构，能够在解决光学串扰和电学串扰的同时也大幅度提高像素的响应度，并降低工艺难度。

天眼查资料显示，格科微电子（上海）有限公司，成立于2003年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6259.722万美元。通过天眼查大数据分析，格科微电子（上海）有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可45个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资沟槽单元隔离图像传感器结构专利图像传感器衬底像素

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