爱思开海力士申请存储器装置和制造方法专利，提高存储器装置的集成度和性能
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2026-05-22 18:46:27
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置和制造存储器装置的方法”的专利，公开号CN122073812A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，描述了存储器装置和制造存储器装置的方法。所述存储器装置包括：源极结构，其形成在基板上方；栅极层叠件，其形成在所述源极结构上方并包括交替层叠的导电层和绝缘层；以及沟道结构，其沿第一方向延伸穿过所述栅极层叠件并延伸到所述源极结构中。所述沟道结构包括：第一沟道层，其沿所述第一方向延伸并位于所述栅极层叠件和所述源极结构内；存储器层，其围绕所述第一沟道层的侧壁并位于所述栅极层叠件和所述第一沟道层之间；以及第二沟道层，其位于所述源极结构和所述第一沟道层之间，并围绕延伸到所述源极结构中的所述第一沟道层的侧壁。
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来源：市场资讯
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