长江存储申请半导体结构及其制备方法、和存储系统专利，提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和存储系统_资讯

长江存储申请半导体结构及其制备方法、和存储系统专利，提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和存储系统

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2026-05-20 10:49:55

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、和存储系统”的专利，公开号CN122069707A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和存储系统，半导体结构包括栅极结构、位于相邻的栅极结构之间的第一隔离结构以及沿第一方向延伸的第一掺杂层；多个栅极结构位于第一掺杂层沿第二方向的一侧并在第一方向间隔排布，栅极结构包括栅极层和沿第二方向位于栅极层和第一掺杂层之间并沿第二方向延伸至第一掺杂层中的第一空隙，栅极结构具有在第二方向背离第一掺杂层一侧的第一表面；栅极结构和第一隔离结构之间的第一掺杂层沿第二方向朝向第一表面一侧的第二表面与栅极结构的侧壁具有第一交界位置并与第一隔离结构的侧壁具有第二交界位置，第二交界位置在第二方向位于第一交界位置和第一表面之间；第二方向与第一方向相交。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1437次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1007个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示栅极投资方向存储导体结构专利半导体栅极层杂层

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