国星半导体取得垂直结构LED芯片专利，有利于提高垂直结构LED芯片的测试效率_资讯

国星半导体取得垂直结构LED芯片专利，有利于提高垂直结构LED芯片的测试效率

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2026-05-20 10:34:45

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国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司取得一项名为“一种垂直结构LED芯片”的专利，授权公告号CN224265411U，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，涉及半导体技术领域，芯片本体自下而上依次包括金属衬底、键合金属层、第一绝缘层、电极连接层、第二绝缘层、P型GaN层、MQW量子阱层、N型GaN层和第三绝缘层；芯片本体中成型有一圈主沟槽，延伸至电极连接层中；键合金属层的局部延伸至N型GaN层中；电极连接层由互相独立的N电极连接层和P电极连接层组成，键合金属层的局部接触N电极连接层，P电极连接层接触P型GaN层；主沟槽内成型有N型电极和P型电极，N型电极接触N电极连接层，P型电极接触P电极连接层。本实用新型通过将N型电极和P型电极设置在芯片本体的同一侧上，有利于提高垂直结构LED芯片的测试效率。

天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目539次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息453条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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