光迅科技获得发明专利授权：“一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构”_资讯

光迅科技获得发明专利授权：“一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构”

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2026-05-20 10:01:53

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示光迅科技（002281）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构”，专利申请号为CN202311564077.7，授权日为2026年5月19日。

专利摘要：本发明公开一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构，方法包括：在芯片的钝化层上的P面键合区形成钝化的Pad层，所述Pad层为与金层低粘附力的介质层；在芯片上制作P面电极，所述P面电极的一部分位于所述Pad层上；基于经过钝化的Pad层与金层的低粘附力，在金丝与P面电极键合时，使金丝将P面电极位于所述Pad层上的部分拉起，且金丝与P面电极保持连接。本发明通过在P面电极键合区填充一层与金层低粘附力的介质层，通过键合工艺金丝键合时，将P电极层拉起来，相当于大大减小了P面电极金属面积，从而大大的降低了芯片电极电容。

今年以来光迅科技新获得专利授权65个，较去年同期增加了182.61%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了10.39亿元，同比增45.75%。

通过天眼查大数据分析，武汉光迅科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目2448次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息1905条，著作权信息129条；此外企业还拥有行政许可97个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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