深明奥思取得顺铁电场效应晶体管专利，提高了非易失性存储器的耐久性能和数据保持能力_资讯

深明奥思取得顺铁电场效应晶体管专利，提高了非易失性存储器的耐久性能和数据保持能力

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2026-05-20 03:01:15

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国家知识产权局信息显示，上海深明奥思半导体科技有限公司取得一项名为“一种顺铁电场效应晶体管”的专利，授权公告号CN224265381U，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体非易失性存储设备技术领域，特别是涉及一种顺铁电场效应晶体管。所述顺铁电场效应晶体管，包括：半导体衬底；含源极和漏极的半导体沟道，位于所述半导体衬底上并分与金属源极、金属漏极相连接；顺铁电层，位于所述含源极和漏极的半导体沟道上；金属栅极，位于所述顺铁电层上；所述顺铁电层，为量子阱层状结构。本申请的顺铁电场效应晶体管，不但提高了非易失性存储器的耐久性能和数据保持能力，在抗掺杂浓度变化、厚度变化、温度变化和应力变化方面具有更为稳定的层结构。

天眼查资料显示，上海深明奥思半导体科技有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本355.8571万人民币。通过天眼查大数据分析，上海深明奥思半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息6条，专利信息13条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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