思坦半导体申请微型发光器件及其制备方法专利，凸起结构一一嵌入凹坑_资讯

思坦半导体申请微型发光器件及其制备方法专利，凸起结构一一嵌入凹坑

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2026-05-20 03:00:15

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国家知识产权局信息显示，厦门思坦半导体有限公司申请一项名为“微型发光器件及其制备方法”的专利，公开号CN122069864A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本申请涉及一种微型发光器件及其制备方法，器件包括：驱动芯片；发光芯片，发光芯片与驱动芯片键合，发光芯片包括衬底、外延叠层，其中，外延叠层设置于驱动芯片的一侧，衬底设置于外延叠层背离驱动芯片的一侧，衬底朝向外延叠层的一侧包括多个预设曲面形状的凹坑，外延叠层包括多个预设曲面形状的凸起结构、多个像素单元，凸起结构设置于像素单元的对侧，凸起结构的数量与像素单元的数量相同，凸起结构一一嵌入凹坑，像素单元投影至衬底的形状与凸起结构投影至衬底的形状相同，像素单元投影至衬底的位置与凸起结构投影至衬底的位置相同。

天眼查资料显示，厦门思坦半导体有限公司，成立于2022年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门思坦半导体有限公司专利信息20条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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