北京集成电路装备创新中心申请刻蚀方法和半导体结构专利，可以降低对鳍部的损伤_资讯

北京集成电路装备创新中心申请刻蚀方法和半导体结构专利，可以降低对鳍部的损伤

创始人

2026-05-19 20:29:52

0次

国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“刻蚀方法和半导体结构”的专利，公开号CN122069997A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种刻蚀方法和半导体结构。所提供的刻蚀方法，包括：提供待刻蚀的半导体结构，所述半导体结构至少包括底部氧化物层，以及在底部氧化层上依次设置的底部抗反射层和图案化的光刻胶层；执行主刻蚀步，以图案化的光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀气体对部分厚度的底部抗反射层进行主刻蚀；执行过刻蚀步，采用第二刻蚀气体对剩余部分底部抗反射层进行过刻蚀；其中，第一刻蚀气体包括碳氟气体和氢气的组合气体，第二刻蚀气体包括碳氢氟气体、氧气和惰性气体的组合气体。本发明可以解决当前在底部抗反射层打开刻蚀工艺中容易损伤鳍部等问题，可以降低对鳍部的损伤，还能实现对光刻胶层高度的有效控制。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息137条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法创新中心气体投资半导体集成电路反射层结构专利胶层鳍部

上一篇：良信股份获得实用新型专利授权：“电路保护装置”

下一篇：精准测量 MIPI 信号：示波器探头选型与应用指南

北京集成电路装备创新中心申请刻蚀方法和半导体结构专利，可以降低对鳍部的损伤

相关内容

热门资讯