华虹宏力申请源极线电阻测试键结构及监控方法专利，能够有效预防弱编程等失效风险_资讯

华虹宏力申请源极线电阻测试键结构及监控方法专利，能够有效预防弱编程等失效风险

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2026-05-19 20:00:29

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“源极线电阻测试键结构及监控方法”的专利，公开号CN122069992A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种源极线电阻测试键结构及监控方法。该测试键结构包括半导体衬底、有源区、源极线和栅极多晶硅结构。其关键在于，测试键结构的版图布局中的关键尺寸，是根据与测试键结构相关的存储器产品的存储单元阵列的版图设计规则来确定的，例如栅极多晶硅结构与源极线之间的间距采用存储单元阵列中两个选通管之间的间距。监控方法包括提供该测试键结构，施加测试信号并测量电学响应参数，计算得到电阻值，并将其与预设阈值比较以监控工艺质量。本申请通过精确模拟产品中源极线的真实版图环境，解决了现有普通测试结构无法有效监控源极线电阻变化的问题，显著提高了监控的准确性和灵敏度，能够有效预防弱编程等失效风险，提升产品良率。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目920次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可448个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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